针对有关预测锰铁铝合金可取代电子产品中硅的问题，莫斯科钢铁合金学院率先在世界上发表了研究结果，试验没有证实锰铁铝合金拥有可取代硅的性质。研究成果发表在国际学术期刊《磁学与磁性材料》上。

锰铁铝合金被认为具有应用在自旋电子学中的前景，是电子产品中硅的现代替代品。莫斯科钢铁合金学院参与此项研究的工作人员德米特里·卡尔片科夫称，寻找带有半金属传导类型的材料是极为重要的任务，因为按计划，这种材料将被应用在自旋电子学装置中。为了应用在自旋电子学结构中，必须使其中的所有电子磁矩对准一个方向。这有助于增加自旋电子学装置的效果。

外国研究人员曾预测锰铁铝合金拥有所需的传导类型。莫斯科钢铁合金学院的学者们决定检验他们的理论假设。

“样品极为紊乱，不具有永磁序。”卡尔片科夫解释说。他说，按照运输性能，这种合金与所谓的“不良合金”类似。对“不良合金”来说，与普通金属相比具有异常高的电阻是其典型特征。

研究人员计划继续寻找无论是理论还是经过试验都具有100%的自旋极化率的材料。